类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：400mW
　　直流电流增益（hFE）：120～360（测试条件IC = 2mA）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

2SB507E晶体管具备优异的直流电流增益特性，其hFE值在典型工作条件下可达到120至360之间，确保了在小信号放大应用中的高增益性能。这一宽范围的增益分布使得该器件能够适应不同电路对增益精度的要求，同时通过合理的偏置设计可以实现稳定的放大效果。该晶体管的高过渡频率（fT）达到80MHz，表明其具备良好的高频响应能力，适合用于中频放大或高速开关场合。尽管作为通用型BJT，其频率性能并非顶级，但在音频处理、脉冲信号整形等常见应用中表现良好。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为80V，使其能够兼容多种电源电压系统，包括常见的12V、24V工业控制电路以及部分家用电器中的较高电压模块。这一耐压水平在同类TO-92封装晶体管中处于较高水平，提升了其在高压环境下的可靠性。同时，最大集电极电流为150mA，足以驱动小型继电器、指示灯或逻辑门电路，满足大多数低功率负载的驱动需求。
　　2SB507E采用TO-92封装，具有体积小、重量轻、易于自动插件和焊接的优点，非常适合大规模生产中的自动化装配流程。该封装还具备一定的散热能力，在正常工作条件下无需额外加装散热片即可稳定运行。此外，该晶体管的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端高低温环境中保持性能稳定，适用于户外设备、汽车电子或工业现场等复杂环境。
　　从可靠性角度来看，2SB507E经过严格的制造质量控制，具备良好的长期稳定性与抗老化能力。其低漏电流设计减少了静态功耗，有助于提升整体系统的能效表现。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，但在实际操作中仍建议采取防静电措施以避免损伤。总体而言，2SB507E以其均衡的性能指标、成熟的技术和广泛的应用验证，成为许多电子设计工程师首选的通用PNP晶体管之一。

2SB507E广泛应用于各类低功率电子电路中，尤其适合作为开关元件或小信号放大器使用。在开关应用方面，它常被用于驱动小型继电器、LED指示灯、蜂鸣器或其他数字逻辑接口电路。其150mA的集电极电流能力足以控制多数微型电磁继电器，而80V的耐压特性则保障了在瞬态电压冲击下的安全运行，因此在家电控制板、电源开关模块和工业I/O接口中被大量采用。
　　在模拟信号处理领域，2SB507E可用于构建音频前置放大器、信号缓冲级或电平转换电路。得益于其较高的电流增益和良好的线性度，该晶体管能够在低噪声条件下有效放大微弱信号，适用于麦克风前置放大或传感器信号调理等场景。虽然其高频性能有限，但对于音频频段（20Hz～20kHz）内的信号处理完全胜任。
　　此外，2SB507E也常见于电源管理电路中，例如作为线性稳压器中的调整管或过流保护电路中的检测开关。其宽温度工作范围使其适用于环境条件较为严苛的应用，如汽车电子、户外监控设备或工业自动化控制系统。在嵌入式系统中，该晶体管还可用于MOSFET或IGBT的栅极驱动电路，实现电平转换与电流增强功能。
　　由于其封装小巧且成本低廉，2SB507E也被广泛应用于消费类电子产品，如遥控器、充电器、玩具电子、智能家居模块等。这些产品通常对元器件的可靠性和成本敏感，而2SB507E正好满足这两方面的需求。综上所述，该晶体管凭借其多功能性、高可靠性和经济性，在现代电子设计中占据重要地位。

BC557, BC558, 2N3906, KSP2907A