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GA1206A182KBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:50:12 查看 阅读:9

GA1206A182KBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提升系统的整体性能。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),具备良好的散热性能和紧凑的尺寸设计,适合在空间受限的应用场景中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A182KBBBT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(1.8mΩ),可显著减少导通损耗,从而提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 高浪涌电流能力,增强了器件在瞬态条件下的耐受性。
  4. 封装紧凑且散热性能优越,有助于简化 PCB 设计并节省空间。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),使其能够在恶劣环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,主要包括以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  4. 各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
  5. 汽车电子设备中的负载开关和电源管理。
  6. 工业自动化控制中的功率调节模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP150AN
  AO3400

GA1206A182KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-