型号：74HCT75D
　　封装类型：SO16
　　逻辑系列：74HCT
　　电源电压（VCC）：4.5V ~ 5.5V
　　输入电压兼容性：TTL电平兼容
　　输出类型：推挽输出
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　每封装锁存器数量：4个
　　逻辑功能：D型透明锁存器
　　传播延迟时间（典型值）：约10ns（@ VCC=5V, CL=50pF）
　　静态电流（最大值）：8μA（@ VCC=5.5V）
　　输出驱动能力：±4mA（@ VOL/VOH规范下）
　　引脚数：16
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（通常）
　　符合标准：JEDEC、RoHS、无卤素

74HCT75D的核心特性之一是其四个独立的D型透明锁存器结构，每个锁存器均包含一个数据输入端（D）、一个使能端（EN）和一个互补输出端（Q和Q?）。当使能端为高电平时，锁存器处于“透明”模式，输入数据会实时反映在输出端；一旦使能端变为低电平，锁存器将锁定当前输入数据并保持不变，即使输入发生变化也不会影响输出。这种锁存行为使得74HCT75D非常适合用于需要在特定时刻采样并保持数据的应用，例如微处理器系统中的地址总线锁存。该器件采用先进的硅栅CMOS技术，结合了高速传输与低功耗的优势，相较于传统的TTL逻辑器件（如74LS系列），其静态功耗显著降低，尤其适合对能效有要求的设计。
　　另一个关键特性是其TTL电平兼容性。尽管74HCT75D使用CMOS工艺制造，但其输入端可以接受标准TTL逻辑电平（VOH ≥ 2.0V，VIL ≤ 0.8V），这使得它可以直接连接到5V TTL输出而无需额外的电平转换电路。这一特性极大地增强了其在混合逻辑系统中的互操作性和设计灵活性。此外，该芯片具备高噪声抑制能力，能够在电磁干扰较严重的环境中稳定运行。SO16封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型PCB布局。74HCT75D还具有过热保护和静电放电（ESD）防护机制，提高了器件的可靠性和耐用性。所有输出端都具备电流限制功能，防止短路损坏。整体而言，74HCT75D在性能、功耗、兼容性和可靠性之间实现了良好的平衡，是一款经典的通用逻辑器件。

74HCT75D广泛应用于各种需要数据暂存和同步控制的数字电子系统中。在微控制器或微处理器系统中，常被用作地址锁存器，配合地址/数据复用总线使用。例如，在8051架构或类似的并行接口系统中，地址信息和数据信息共享同一组IO引脚，通过ALE（Address Latch Enable）信号控制74HCT75D的使能端，在地址有效期间将其锁存，从而释放总线用于后续的数据传输。这种方式有效减少了所需的引脚数量，优化了系统资源利用。
　　在工业控制系统中，74HCT75D可用于状态保持电路，如保存传感器输入的瞬态信号或PLC模块中的中间运算结果。由于其锁存功能可在控制信号触发时捕获数据并维持输出稳定，因此在顺序控制、状态机实现和时序协调方面表现出色。在通信接口模块中，该芯片也可用于并行数据的缓冲与同步，尤其是在异步通信协议中作为数据暂存单元，提升系统的响应效率和稳定性。
　　消费类电子产品中，74HCT75D常见于LED显示驱动电路、键盘扫描矩阵和家用电器控制板中，用于锁存按键状态或显示内容。其低功耗特性有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，在测试测量仪器和数据采集系统中，该器件可用于多通道模拟开关的地址选择锁存，确保在切换过程中控制信号的稳定性。教育领域中，74HCT75D也常作为数字逻辑教学实验的标准组件，帮助学生理解锁存器、时序逻辑和总线操作的基本原理。总之，凭借其成熟的技术、稳定的性能和广泛的供货渠道，74HCT75D在多种应用场景中持续发挥重要作用。

74HCT75PW
　　74HCT75DB
　　SN74HCT75N
　　CD74HCT75E