IR3Y26AI 是一款由 Infineon(英飞凌)公司生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,主要用于高功率电子设备中的开关操作。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点,广泛应用于逆变器、电机驱动和电源系统中。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压:600V
最大集电极电流:20A
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-220
导通压降:约1.5V(典型值)
短路耐受能力:有
热阻:约60°C/W
IR3Y26AI 具备优异的开关性能和热稳定性,适用于高功率密度设计。其低导通压降和快速开关特性显著降低了功率损耗,提高了系统效率。此外,该 IGBT 芯片具备良好的短路耐受能力,能够在异常条件下提供更高的可靠性。
该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适用于各种工业环境。其高耐用性和稳定性使其成为电机控制、UPS 电源和变频器等应用的理想选择。
IR3Y26AI 还具有较高的抗电磁干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。此外,该芯片的栅极驱动要求较低,简化了外围驱动电路的设计,降低了整体系统的复杂性和成本。
IR3Y26AI 常用于工业自动化控制系统中的电机驱动器、变频器和伺服控制器。它也广泛应用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动车充电设备等高功率电子系统中。由于其高可靠性和优异的热性能,该芯片还适用于需要长时间稳定运行的工业设备和电力系统。
IRG4BC30FD, IRFS4010, FGA25N120ANTD