类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2V
　　输入电容（Ciss）：325pF @ VDS = 15V
　　开关时间（开启）：10ns
　　开关时间（关闭）：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

MSS1038T-564KEC具备多项关键特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效，尤其适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备和可穿戴电子产品。该器件在VGS = -10V时的典型RDS(on)仅为35mΩ，在VGS = -4.5V时也仅为45mΩ，表明其在中等驱动电压下仍能保持高效导通能力，兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路。这种低RDS(on)特性有助于减少发热，提升长期运行的可靠性。
　　其次，MSS1038T-564KEC采用了先进的沟道工艺，优化了载流子迁移率，从而实现了快速的开关响应。其开启时间约为10ns，关闭时间约为28ns，确保在高频开关应用中具有较低的开关损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理单元等需要快速响应的场合。此外，器件的输入电容仅为325pF（在VDS=15V条件下），降低了驱动电路的负担，减少了栅极驱动所需的能量，进一步提升了系统的能效表现。
　　再者，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其最大漏源电压为-30V，能够承受一定的瞬态电压冲击，增强了系统的鲁棒性。同时，器件的栅源电压额定值为±20V，提供了足够的安全裕度，防止因栅极过压导致的击穿失效。
　　最后，SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过PCB走线即可有效导出热量。该封装易于实现自动化贴片生产，支持回流焊工艺，符合现代电子制造的高密度组装需求。综合来看，MSS1038T-564KEC在性能、可靠性和可制造性之间实现了良好平衡，是中小型功率开关应用的理想选择。

MSS1038T-564KEC广泛应用于各类需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等，用于控制电池与主电路之间的连接，实现低功耗待机模式或系统关断功能。在这些应用中，其低导通电阻和低静态电流特性有助于延长电池续航时间。
　　此外，该器件常用于DC-DC转换器的同步整流电路中，作为上管或下管开关元件，提升转换效率并减少热损耗。在负载开关电路中，MSS1038T-564KEC可用于隔离不同电源域，防止反向电流流动，保护敏感电路模块。它也可用于电机驱动、LED驱动和继电器驱动等功率控制场合，特别是在需要负电压控制或高端开关配置的系统中表现出优势。
　　在通信设备中，该MOSFET可用于信号路径的切换或电源管理模块，确保信号完整性并降低系统功耗。工业控制系统中，其高可靠性和宽温工作能力使其适用于PLC模块、传感器供电控制和远程I/O单元等环境较为严苛的应用。同时，由于其符合RoHS标准且不含铅，适用于出口型电子产品和环保要求较高的项目。总之，MSS1038T-564KEC凭借其优异的电气性能和小型封装，成为现代电子设计中不可或缺的功率开关元件之一。

SI2301-ADJ, FDN302P, ZXM61P02F, DMG2301U, BSS84