型号：HT1CD256K4BZ-60
　　制造商：SK hynix (原Hynix)
　　存储类型：SDRAM
　　组织结构：256K x 4 位
　　总容量：1 Mbit (1,048,576 位)
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　工作频率：最高60 MHz（对应-60速度等级）
　　访问时间：60 ns（最大值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装形式：SOJ-28（Small Outline J-leaded Package）
　　引脚数量：28 引脚
　　数据总线宽度：4 位
　　刷新模式：自动刷新与自刷新支持
　　逻辑电平：LVTTL 兼容
　　封装尺寸：符合 JEDEC 标准 SOJ 外形

HT1CD256K4BZ-60作为一款低密度同步动态随机存取存储器，具有多项关键特性以适应多种嵌入式与工业环境下的使用需求。首先，该芯片采用3.3V供电电压设计，相较于早期的5V SDRAM产品，显著降低了功耗，提高了能效比，使其更适合电池供电或对热管理有严格要求的系统。其次，其60ns的访问时间和最高60MHz的工作频率确保了在中等性能级别的应用中能够提供可靠的数据响应速度，满足大多数实时控制系统的时间约束。该器件支持同步操作模式，所有输入输出信号均在时钟上升沿采样，有效提升了系统时序的一致性与可预测性。
　　该芯片具备完整的SDRAM功能集，包括突发模式访问、可编程CAS等待时间（通常为2或3个时钟周期）、自动预充电以及两种刷新机制——自动刷新和自刷新。自动刷新功能允许内存控制器定期执行刷新操作以维持数据完整性，而自刷新则可在系统进入低功耗待机状态时由内部电路自主完成刷新，极大延长了便携式设备的待机时间。此外，HT1CD256K4BZ-60支持部分阵列刷新和睡眠模式，进一步优化了功耗表现。
　　从物理结构上看，该芯片采用28引脚SOJ（Small Outline J-leaded）封装，这种封装形式具有良好的焊接可靠性和散热性能，同时便于手工焊接和自动化贴装，广泛应用于工业控制板、网络通信模块、医疗仪器及老式显示终端等设备中。SOJ封装还具备较强的抗机械应力能力，适合在振动频繁或温差较大的环境中长期运行。该器件的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保在极端环境下仍能保持稳定的数据存储与读写能力。
　　HT1CD256K4BZ-60的设计兼容JEDEC标准协议，保证了与其他主流SDRAM控制器的良好互操作性。其4位数据总线虽然带宽有限，但对于某些特定用途如帧缓冲、状态寄存器扩展或小型缓存应用已足够使用。由于其成熟的技术架构和稳定的供应链，该型号常被用于替代老旧的异步SRAM或DRAM方案，在不大幅改动硬件设计的前提下实现性能提升。总体而言，HT1CD256K4BZ-60是一款兼顾性能、功耗与可靠性的经典低密度SDRAM器件，适用于对成本敏感且注重长期可用性的工业与嵌入式项目。

HT1CD256K4BZ-60广泛应用于各类需要中低速、小容量、高可靠性的数据缓存与临时存储场景。典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）模块，用于暂存I/O状态、中间计算结果或通信缓冲区；在网络通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，作为协议处理单元的小型数据缓冲区使用；在医疗电子设备中，例如监护仪或便携式诊断工具，用于存储实时采集的生命体征数据片段；以及在POS终端、条码扫描器和智能仪表等人机交互设备中，充当图形界面或菜单信息的显示缓存。此外，该芯片也常见于一些老旧的视频监控系统、电梯控制板、楼宇安防控制器等长期服役的工业设备中，因其供货周期长、兼容性强而成为维护和替换的理想选择。由于其支持自刷新和低功耗模式，亦可用于部分电池供电的嵌入式系统中，延长设备待机时间。总之，HT1CD256K4BZ-60适用于那些对存储密度要求不高但强调稳定性、耐用性和长期供货保障的应用领域。

HY57V161610ETP-60
　　IS42S16160B-6BLI
　　W9812G6KH-6