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2SB315B-CM1200DC-34N 发布时间 时间:2025/8/7 0:32:19 查看 阅读:26

2SB315B-CM1200DC-34N 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于高功率电子设备中,如工业变频器、电动车辆和可再生能源系统。该模块具备高耐压和大电流能力,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  集电极电流(Ic):1200A
  短路电流能力:2400A
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式封装(Dual)
  最大耗散功率:600W
  短路耐受能力:10μs @ 150°C

特性

2SB315B-CM1200DC-34N是一款高性能IGBT模块,采用了先进的硅芯片技术和优化的封装设计,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。其主要特性包括高电压阻断能力(1200V)和大电流承载能力(1200A),能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。该模块还具备优异的短路保护能力,可在极端条件下提供额外的安全保障。此外,模块的热阻较低,有助于提高散热效率,延长器件寿命。内部设计采用了低电感结构,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。此模块还具有良好的绝缘性能,确保电气安全,并且符合RoHS环保标准。

应用

2SB315B-CM1200DC-34N广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,如工业变频器、不间断电源(UPS)、风力发电变流器、电动汽车充电设备以及轨道交通牵引系统等。其高耐压和大电流特性使其成为新能源汽车电机控制器和可再生能源系统中的理想选择。此外,该模块还可用于智能电网、储能系统和自动化工业设备中,提供高效、稳定的电力转换解决方案。

替代型号

2SC6415-CM1200DA-34N, 2SB315B-CM1200DC-34T

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2SB315B-CM1200DC-34N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电0V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)-
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块