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PST8431NR 发布时间 时间:2025/7/7 18:22:10 查看 阅读:15

PST8431NR 是一款基于 N 沟道功率 MOSFET 的晶体管,采用先进的制造工艺设计,适用于各种高效能开关应用。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理等场景。
  这款 MOSFET 的封装形式为 SOT23 封装,能够提供较高的电流处理能力和优秀的散热性能。由于其体积小、性能优越,PST8431NR 在便携式设备和空间受限的应用中得到了广泛使用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(典型值):70mΩ
  栅极-源极电压:±20V
  功耗:360mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

PST8431NR 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,在紧凑型封装中表现出色。
  4. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 静电放电(ESD)保护增强,提升了器件的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

PST8431NR 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
  3. 电池供电设备的电源管理。
  4. 小型电机驱动和控制电路。
  5. 各种消费类电子产品中的信号切换和保护功能。
  6. 工业自动化系统中的低功率开关任务。

替代型号

PST8430NR, FDMC8431, Si2306DS

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