PST8431NR 是一款基于 N 沟道功率 MOSFET 的晶体管,采用先进的制造工艺设计,适用于各种高效能开关应用。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT23 封装,能够提供较高的电流处理能力和优秀的散热性能。由于其体积小、性能优越,PST8431NR 在便携式设备和空间受限的应用中得到了广泛使用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻(典型值):70mΩ
栅极-源极电压:±20V
功耗:360mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
PST8431NR 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,在紧凑型封装中表现出色。
4. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
5. 静电放电(ESD)保护增强,提升了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
PST8431NR 广泛应用于以下领域:
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
3. 电池供电设备的电源管理。
4. 小型电机驱动和控制电路。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换和保护功能。
6. 工业自动化系统中的低功率开关任务。
PST8430NR, FDMC8431, Si2306DS