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2SB1000A-TL-E 发布时间 时间:2025/8/17 5:12:06 查看 阅读:25

2SB1000A-TL-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的PNP型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装封装(SOT-23),适用于便携式电子设备、射频(RF)模块和低功耗电路设计。

参数

晶体管类型:PNP BJT
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功率耗散(PD):200mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  封装类型:SOT-23

特性

2SB1000A-TL-E 拥有优异的高频响应特性,适用于射频和中频放大电路。
  该晶体管具有较高的电流增益,可在不同工作条件下保持稳定性能。
  其SOT-23封装形式适合自动化贴片工艺,广泛应用于现代电子设备中。
  晶体管的功耗较低,适合用于电池供电设备,如无线传感器和便携式通信设备。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内工作。

应用

2SB1000A-TL-E 主要用于射频放大器、低噪声放大器(LNA)和高频开关电路。
  它也常用于音频放大电路、信号调节电路以及各种低功率电子系统中。
  由于其高频特性,该晶体管在无线通信模块、蓝牙设备和Wi-Fi模块中具有广泛的应用。
  此外,该晶体管还可用于传感器接口电路、电压调节器和逻辑电路中的开关元件。

替代型号

2SB1110, 2SA1245, BC847B

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