ETF11-050 时间：2025/8/9 17:54:43 阅读：30

ETF11-050 是一款由 IXYS 公司生产的电子元器件，属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款晶体管设计用于高功率和高频率的应用，例如开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制以及工业自动化系统。ETF11-050采用了TO-247封装，具备优良的热管理和导电性能，能够承受较高的电流和电压应力。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），以及较高的耐压能力，使其在高效率的电力转换系统中具有出色的表现。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

ETF11-050功率MOSFET具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流通过时降低功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件的最大漏源电压（VDS）为500V，支持在高压环境中稳定运行，适合需要高耐压能力的工业和电力电子应用。此外，最大漏极电流为11A，使该MOSFET能够在较高负载条件下可靠工作。该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，确保较低的控制电压即可实现有效导通。同时，其采用的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和长期可靠性。
　　ETF11-050的热阻（RθJC）较低，使得在高功率工作状态下，热量能够有效地从芯片传导到散热器，从而延长器件寿命并提高系统的稳定性。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，避免因异常情况导致的损坏。由于其快速开关特性，ETF11-050在高频应用中表现良好，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种功率控制电路。

应用

ETF11-050 MOSFET广泛应用于需要高功率和高压性能的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，该器件可用于高效能的AC-DC和DC-DC转换器，实现稳定的电压转换和较小的功率损耗。此外，在逆变器系统中，如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），ETF11-050可以作为主开关元件，提供可靠的电力转换能力。该器件还常用于马达控制和驱动器电路中，支持高效能的变速马达控制，适用于工业自动化和机器人系统。在电动汽车充电器和电池管理系统中，ETF11-050能够承受高电压和大电流，确保系统的高效运行。同时，该MOSFET也可用于高频感应加热设备、电焊机以及其他高功率电子设备中，为各类工业和消费电子应用提供稳定可靠的电力支持。