类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-18A
　　导通电阻（RDS(on)）：-0.11Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：-0.16Ω @ VGS = -4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约 600pF
　　输出电容（Coss）：约 200pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定（无体二极管优化）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

2N7228的特性之一是其P沟道增强型结构，这使得它在高端开关应用中表现出色。与N沟道MOSFET不同，P沟道器件在连接到正电源轨时更容易驱动，因为其源极通常接在正电压上，只需将栅极拉低即可导通，无需额外的电荷泵或自举电路来提升栅极电压。这一特性极大简化了电源管理电路的设计，尤其适合电池供电设备或低压直流系统中的电源开关控制。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-1V至-2.5V，意味着它可以在低至-2.5V的栅源电压下开始导通，因此能够被5V甚至3.3V逻辑信号直接驱动。这对于由微控制器、门电路或比较器直接控制的应用非常有利，减少了对外部驱动IC的需求，从而降低了整体系统成本和复杂性。
　　2N7228的导通电阻在VGS = -10V时典型值为0.11Ω，在VGS = -4.5V时约为0.16Ω。尽管这一数值相较于现代低RDS(on) MOSFET略高，但对于中小功率应用（如继电器驱动、电机控制或LED电源开关）仍然足够有效。较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率并降低发热。
　　该器件的最大漏源电压为-30V，可承受反向电压达30V，适用于12V或24V工业控制系统中的开关任务。其连续漏极电流能力为-4.5A，短时脉冲电流可达-18A，表明其具备一定的过载承受能力，适合应对启动电流较大的负载（如容性负载或小型直流电机）。
　　采用TO-220封装，2N7228具有良好的散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。该封装也便于手工焊接和维修，在原型开发和小批量生产中广受欢迎。
　　然而，2N7228并未针对高速开关进行优化，其输入和输出电容分别为约600pF和200pF，限制了其在高频PWM应用中的表现。同时，其体二极管未特别优化反向恢复特性，因此在存在反向电流的场合（如同步整流）需谨慎使用。总体而言，2N7228是一款可靠、易于使用的P沟道MOSFET，适用于中低频、中低功率的开关控制场景。

2N7228广泛应用于各种需要P沟道MOSFET进行电源开关控制的电子系统中。一个典型的应用是在高端开关电路中用作电源通断控制元件，例如在便携式设备中控制电池对负载的供电。由于其P沟道特性，当栅极为低电平时导通，高电平时关断，非常适合由微控制器的I/O口直接驱动，实现开机/关机逻辑控制。
　　在DC-DC转换器中，2N7228可用于非同步降压拓扑中的主开关管，尤其是在输入电压低于30V且输出电流适中的情况下。虽然现代设计更倾向于使用N沟道MOSFET以获得更低的导通损耗，但在某些低成本或空间受限的设计中，P沟道方案因其驱动简单而仍有优势。
　　该器件也常见于继电器或电磁阀的驱动电路中，作为有源开关元件来替代机械继电器或双极晶体管。相比双极型晶体管，MOSFET具有更高的输入阻抗和更快的开关速度，且无饱和压降，能显著降低功耗。
　　在电机控制领域，2N7228可用于小型直流电机的方向切换或启停控制，特别是在H桥电路的高端侧使用。多个此类器件组合可构建全桥驱动，实现正反转功能。
　　此外，2N7228还可用于LED驱动电路，特别是在需要调光或分组控制的场合。通过PWM信号控制其栅极，可以精确调节LED亮度，同时避免因线性工作区带来的发热问题。
　　在工业控制和自动化系统中，该器件用于隔离不同电源域、实现冗余电源切换或防止反向电流流动。其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围使其能够在恶劣环境中稳定运行。
　　尽管2N7228并非专为高频开关设计，但在几十kHz以下的开关频率下仍能良好工作，因此适用于许多传统的开关电源、UPS系统、充电器和电源模块中。总的来说，其应用覆盖消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等多个领域。

FQP27P06
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