BGU7044是一款由英飞凌(Infineon)推出的高效能、高可靠性N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,旨在优化导通电阻和开关性能,适合于各种需要高效能量转换的应用场景。BGU7044具有较低的导通电阻和良好的热性能,适用于工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理电路。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):4.4A
导通电阻(RDS(on)):1.3Ω(典型值,在VGS=10V时)
总功耗(PD):18W
结温范围(TJ):-55℃至+175℃
BGU7044采用英飞凌先进的OptiMOS?技术,具备卓越的性能表现。
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高雪崩能力,确保在异常工作条件下的可靠性和耐用性。
3. 支持高达650V的漏源电压,适用于高压应用场景。
4. 提供快速开关速度,减少开关损耗,尤其适合高频应用。
5. 小型封装设计,便于PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
BGU7044广泛应用于各类高电压、高效率需求的场景中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器,特别是要求高效能量转换的场景。
3. 工业电机控制及驱动电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 汽车电子系统的电源管理和控制模块。
BGQ7044
BGH7044