时间：2025/8/13 19:07:16
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EMB16N06H是一款功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理和功率控制应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于各种电子设备的电源转换和开关控制。EMB16N06H采用先进的半导体制造工艺，确保了在高电流和高电压条件下的稳定运行。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装，以提供良好的散热性能和机械强度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：约25mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
EMB16N06H具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其低导通电阻(Rds(on))能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该特性对于需要高效率的电源转换器和马达驱动应用尤为重要。其次，EMB16N06H具备高耐压能力，漏源电压可达60V，适用于中高压功率应用。此外，该器件的栅源电压容限为±20V，确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。EMB16N06H的连续漏极电流能力为16A，适用于高电流负载的应用场景。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在恶劣的环境条件下正常运行，增强了器件的适用性。最后，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性。
EMB16N06H广泛应用于多个领域，包括电源管理、马达驱动、电池充电器、DC-DC转换器以及工业自动化设备。在电源管理应用中，EMB16N06H可用于高效的电源开关，降低能量损耗并提高系统效率。在马达驱动应用中，该器件的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想的开关元件。此外，在电池充电器和DC-DC转换器中，EMB16N06H能够提供高效的能量转换，确保设备的稳定运行。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于工业自动化设备中的高负载开关控制。
IRFZ44N, STP16NF06, FDPF16N06
