VJ1210A750JBGAT4X 是一种陶瓷电容器,属于 C0G/NP0 类介质的多层陶瓷电容器 (MLCC),具有高稳定性和低损耗特性。这种电容器适用于需要高频率和高稳定性的电路中,其封装形式为 1210(3.2mm x 2.5mm),额定电压为 750VDC,容量为 10pF。该型号采用卷带包装,适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
由于其优异的温度特性和高可靠性,该电容器广泛应用于通信设备、工业控制以及射频电路等领域。
容量:10pF
额定电压:750VDC
封装尺寸:1210 (3.2mm x 2.5mm)
介质材料:C0G/NP0
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
公差:±0.3pF
直流偏置特性:不显著(适用于 C0G 型号)
绝缘电阻:大于 10,000MΩ
ESR(等效串联电阻):极低
频率特性:稳定,适合高频应用
VJ1210A750JBGAT4X 具有以下主要特性:
1. 高稳定性:C0G/NP0 介质确保了电容值在温度、时间及电压变化下的高度稳定性。
2. 耐高压:750V 的额定电压使其能够胜任高压应用场景。
3. 小型化设计:1210 封装提供了紧凑的外形,同时支持高密度组装。
4. 宽温范围:-55°C 到 +125°C 的工作温度范围,适应恶劣环境。
5. 极低损耗合应用。
6. 高可靠性和长寿命:满足工业级或更高要求的应用需求。
这些特点使得 VJ1210A750JBGAT4X 成为高性能电子设备的理想选择。
VJ1210A750JBGAT4X 主要应用于以下领域:
1. 通信设备中的射频电路,如滤波器、振荡器和匹配网络。
2. 工业自动化系统中的电源模块和信号调理电路。
3. 医疗设备中的高精度测量电路。
4. 汽车电子中的传感器接口和高频信号传输。
5. 高压电源中的耦合和去耦应用。
6. 军事和航空航天领域中的高可靠性电路。
由于其耐高压和高稳定性的特点,该电容器特别适合对性能和可靠性要求较高的场景。
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