STBS513 时间：2025/8/20 18:24:56 阅读：27

STBS513是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体能效。STBS513封装在高性能的PowerFLAT 5x6封装中，具备良好的热管理和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值5.1mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

STBS513的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有极低的功率损耗。其导通电阻的最大值仅为5.1mΩ，并且在Vgs=10V的条件下可以实现高效的开关操作。该器件还具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达80A，在高负载条件下依然能够保持稳定性能。
　　此外，STBS513采用了PowerFLAT 5x6封装，这是一种无引脚的表面贴装封装，具有优异的热传导性能，能够有效地将热量从芯片传递到PCB上，从而提高器件的可靠性。该封装还减少了寄生电感，有助于提升高频开关性能。
　　STBS513的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的MOSFET驱动电路，同时也支持逻辑电平驱动，适用于多种控制方案。其工作温度范围为-55°C至175°C，能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和高可靠性应用。

应用

STBS513广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效率电源设计，如服务器电源、通信设备电源和电动汽车充电系统。
　　在汽车电子领域，STBS513可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等应用。其优异的热管理能力和宽工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行，满足汽车行业的严格要求。
　　此外，STBS513也可用于工业自动化设备中的电源开关和负载管理，提供高效的功率控制方案。