FZT953TA 时间：2025/8/2 9:07:27 阅读：13

FZT953TA是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高频开关和功率转换应用。这款MOSFET采用先进的硅工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器和负载开关等电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大40mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

FZT953TA具有低导通电阻的特点，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高整体系统效率。同时，该器件的开关速度快，适合用于高频开关电路，减少开关损耗并提高响应速度。其先进的硅工艺确保了良好的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外，FZT953TA的栅极驱动要求较低，能够在较低的Vgs电压下正常工作，适用于多种控制电路。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够承受短时间的高电流冲击而不损坏，适用于高可靠性系统。TO-252封装提供了良好的散热性能，便于安装在紧凑型PCB布局中。由于其优异的电气特性和机械特性，FZT953TA非常适合用于汽车电子、工业控制和便携式设备等应用领域。

应用

FZT953TA广泛应用于各类电力电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关和负载控制电路。此外，它也常用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、LED驱动器和电动工具控制器等。由于其高频特性和低导通损耗，FZT953TA也适用于开关电源（SMPS）和逆变器设计。