时间：2025/6/9 15:39:26
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GA1210Y184MXXAT31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种高效率电源转换场景，例如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。
该型号属于东芝的 Advanced Super Junction MOSFET 系列，其设计目标是降低功率损耗并提升系统整体效率。
类型：N沟道增强型 MOSFET
漏源极电压(Vdss)：650V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
栅极电荷(Qg)：42nC
最大工作结温(Tjmax)：175°C
封装形式：TO-247
GA1210Y184MXXAT31G 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：额定漏源极电压为 650V，能够满足高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 0.18Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：栅极电荷较低（42nC），从而实现更快的开关速度，适合高频应用。
4. 高可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下稳定运行，并支持高达 175°C 的工作结温。
5. 小型化封装：采用 TO-247 封装，易于安装且散热性能优异。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足国际环保法规要求。
GA1210Y184MXXAT31G 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中，具体应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换中的主开关元件。
2. 逆变器：
- 在太阳能逆变器和其他工业逆变器中作为功率开关。
3. 电机驱动：
- 提供高效的功率控制以驱动各类电机。
4. LED 驱动器：
- 在大功率 LED 照明系统中用作开关元件。
5. 工业设备：
- 应用于各种工业自动化设备中的功率管理模块。
GA1210Y184MXXBT31G, TPH2R0065WS
