HMT42GR7BFR4A-PB 是一款由 Hynix(海力士)公司生产的 DDR4 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)颗粒,属于高带宽和低功耗设计的内存芯片,广泛应用于高性能计算、服务器、网络设备和高端桌面平台。这款内存芯片支持 DDR4 标准,具有较高的数据传输速率和稳定性,适用于需要大量数据处理和存储的应用场景。HMT42GR7BFR4A-PB 通常采用 FBGA(细间距球栅阵列)封装,适合在紧凑型 PCB 设计中使用。
容量:4GB
类型:DDR4 SDRAM
电压:1.2V
时钟频率:3200MHz
数据速率:3200Mbps
行地址位数:A0-A15,BA0-BA2
列地址位数:A0-A9
封装类型:FBGA
引脚数:78-ball
工作温度范围:0°C 至 +85°C
HMT42GR7BFR4A-PB 具备多项先进特性,确保其在高性能系统中的稳定性和可靠性。首先,它支持 3200Mbps 的数据传输速率,提供出色的内存带宽,适用于需要高速数据处理的场景,如图形渲染、虚拟化和数据库管理等。此外,该芯片采用 1.2V 的低压供电设计,降低了功耗和发热量,提高了能效,符合现代电子设备对节能环保的要求。
该 DDR4 SDRAM 芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不频繁访问内存的情况下保持数据完整性,延长内存数据的保持时间,从而减少系统功耗。其 FBGA 封装方式不仅减小了芯片的体积,还增强了信号完整性和散热性能,适用于高密度内存模块的设计。
HMT42GR7BFR4A-PB 支持多种模式寄存器设置(Mode Register Set, MRS),允许用户根据具体应用需求调整内存操作参数,如突发长度、CAS 延迟和写入延迟等,提高系统的灵活性和兼容性。同时,该芯片具备良好的兼容性,可与其他主流 DDR4 内存控制器和模块协同工作,广泛适用于台式机、服务器、工作站等多种计算平台。
在工作温度方面,该芯片可在 0°C 至 +85°C 的范围内稳定运行,适用于各种工业和商业环境。其高可靠性和长寿命设计使其成为高端计算和数据中心应用的理想选择。
HMT42GR7BFR4A-PB 主要应用于需要高性能内存支持的设备和系统,包括高端桌面计算机、工作站、服务器、网络交换机、存储设备以及高性能计算平台。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,该芯片也广泛用于图形处理、虚拟化、云计算、AI 训练与推理等数据密集型应用场景。此外,该芯片还可用于嵌入式系统和工业控制设备中,为复杂的数据处理任务提供强大的内存支持。
HMT48GR7C4A-PB, HMT48GS6AFR8A-PB