类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.8A
　　导通电阻(RDS(ON))：最大38mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSMT6（热增强型表面贴装封装）

RO2073A-1具有多个显著的技术特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在VGS为10V时，RDS(ON)最大为38mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，提高了单位面积内的载流能力，从而在小封装下实现更高的电流处理能力。这种设计也有助于降低寄生电容，提高开关速度，减少开关损耗。
　　此外，RO2073A-1具备良好的热稳定性，其TSMT6封装设计具有优异的散热性能，能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，适合多种栅极驱动器配置。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业和汽车电子环境。
　　最后，RO2073A-1符合RoHS环保标准，无铅封装，支持绿色环保设计。

RO2073A-1广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及车载电子设备中的功率控制电路。
　　在DC-DC转换器中，RO2073A-1用于同步整流部分，其低导通电阻有助于提高转换效率，减少发热，适用于便携式设备和高性能计算平台的电源供应。
　　在负载开关应用中，该MOSFET可实现快速开关控制，适用于多路电源管理或热插拔系统，确保在高电流负载下的稳定运行。
　　在电池管理系统中，RO2073A-1可用于充放电路径控制，提供高效能和可靠的功率切换能力，适用于电动车、储能系统和高精度电池供电设备。
　　由于其优异的热性能和高电流能力，RO2073A-1也常用于工业自动化设备、LED驱动器以及各种高功率密度的电源模块中。

Si2302DS, AO3400, FDS6680, IPD95201, RO2072A-1