ISP650P06NM是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,采用先进的半导体制造工艺,专为高效率功率转换和开关应用而设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关特性和优异的热稳定性,广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
这款MOSFET能够提供出色的电流处理能力和电压耐受能力,在电源管理、电机驱动和负载切换等场景中表现出色。
型号:ISP650P06NM
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极击穿电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
ID(连续漏极电流):100A
Qg(栅极电荷):28nC
VGS(th)(栅极开启电压):2.0V~4.0V
f(max)(最大工作频率):1MHz
封装形式:TO-247
ISP650P06NM具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用场景,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,支持高达100A的连续漏极电流,满足大功率需求。
4. 紧凑的封装设计,便于PCB布局与散热管理。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 稳定的工作温度范围:-55°C至+175°C,适应各种恶劣环境条件。
7. 具备过温保护和短路保护功能,提高系统的可靠性和安全性。
ISP650P06NM因其卓越的性能和可靠性,适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路中的功率开关。
3. 电机驱动和逆变器模块中的功率级元件。
4. 负载切换和保护电路中的开关元件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统中的功率转换组件。
6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)中的关键器件。
IRF650N, FDP650N, STW650N6