时间：2025/5/8 19:11:37
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FCH22N60N 是一款 N 沒道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源转换、电机驱动以及各类开关电路中。
该 MOSFET 的最大工作电压为 600V，适合高电压环境下的应用，同时其出色的性能参数使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.2A
导通电阻：3.8Ω
栅极电荷：17nC
总电容：345pF
功耗：15W
封装形式：TO-220
FCH22N60N 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 3.8Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度：较小的栅极电荷（17nC）确保了器件能够实现快速开关，从而提高效率。
4. 稳定性强：经过优化设计，能够在高温和高湿度环境下保持稳定的性能。
5. 封装坚固：采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能和机械强度。
FCH22N60N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流器使用。
2. 逆变器：用于光伏逆变器或其他类型的电力转换设备。
3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。
4. PFC（功率因数校正）电路：提供高效开关性能以改善功率因数。
5. 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关。
FCH22N60,
FDP18N60,
IXFN22N60T,
STP22NF60,
IRF640
