时间：2025/5/24 17:15:43
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2N7002KW T/R 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的电流处理能力，非常适合于电源管理、信号切换以及其他需要高效控制的应用场景。
该器件采用 TO-236-3 封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性。由于其工作电压范围较宽，因此在设计低压至中压应用时非常灵活。
最大漏源电压：60V
最大栅极源极电压：±20V
最大漏极电流：300mA
最大功耗：450mW
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω
栅极电荷：10nC
开关时间：典型值ton=30ns，toff=15ns
2N7002KW T/R 的主要特点是其卓越的小信号性能和高可靠性。首先，它的导通电阻较低，在正常工作条件下能够减少功率损耗并提高效率；其次，该器件支持高频操作，适合用于脉宽调制（PWM）控制器或数据通信线路保护等场合。
此外，2N7002KW T/R 具备静电放电（ESD）防护功能，增强了其在恶劣环境下的耐用性。同时，其紧凑的封装使其成为表面贴装技术（SMT）应用的理想选择，便于自动化生产和优化PCB布局设计。
这款 MOSFET 常见的应用领域包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的同步整流器
2. 电池管理系统里的负载开关
3. 工业自动化设备内的逻辑电平转换
4. 消费类电子产品如手机充电器、便携式媒体播放器等中的过流保护电路
5. 电机驱动器及音频放大器的外围元件
2N7000, BSS138, PMV40UN
