时间：2025/5/8 14:43:50
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DS1230AB-120IND 是一款由 Maxim Integrated（现为 Analog Devices）生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性存储功能，能够在系统断电时自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储器中，并在重新上电时恢复数据。DS1230AB-120IND 提供高可靠性和低功耗的解决方案，适合需要实时数据保护的应用场景。
这款 NVSRAM 芯片采用 SOIC 封装，支持工业级温度范围 (-40°C 至 +85°C)，并且内置锂电池以确保数据在断电后的完整性。
容量：32K x 8位
接口类型：并行
工作电压：2.7V 至 5.5V
工作电流：5mA（典型值）
待机电流：1μA（最大值）
存储时间：10年（无电源情况）
写入周期：无需写入周期（即时写入）
封装形式：SOIC-8
温度范围：-40°C 至 +85°C
DS1230AB-120IND 具有以下显著特点：
1. 高速访问性能：其 SRAM 部分提供极快的数据读写速度，适合需要频繁访问数据的场合。
2. 自动数据保护：当主电源失效时，内置电池会自动切换以保持数据完整性。
3. 非易失性存储：即使在断电后，数据仍然能够保存长达十年。
4. 低功耗设计：待机模式下的电流消耗非常低，从而延长了电池寿命。
5. 可靠性高：经过严格测试，确保在恶劣环境下仍能正常运行。
6. 简化系统设计：由于集成了电池和控制器，减少了外部组件的需求。
DS1230AB-120IND 广泛应用于对数据完整性和可靠性要求较高的领域：
1. 工业控制：如 PLC、数据记录仪等设备中的关键参数存储。
2. 医疗设备：例如监护仪、血糖仪等需要长时间保存用户数据的仪器。
3. 计量仪表：水表、电表和气表等智能仪表中用于存储使用数据。
4. 通信设备：路由器、交换机等网络设备中的配置信息存储。
5. 汽车电子：如事件数据记录器（EDR），用于保存事故前后的车辆状态。
DS1230Y-120, DS1230Z-120
