MMFTP84是一款N沟道功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和电机驱动场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的版本。
该器件能够在高频条件下高效运行,并具备良好的热性能表现,适合需要紧凑型设计和高性能输出的应用场合。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:115W(TO-220封装)
结温范围:-55℃至+175℃
开关时间:ton=9ns,toff=15ns
MMFTP84的主要特点是低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。同时,它具有快速的开关特性,可降低开关损耗并在高频工作条件下保持高效性能。
此外,该器件还提供出色的热稳定性,能够承受较高的结温,从而增强系统的可靠性和耐用性。其坚固的设计使其非常适合要求严苛的工业和汽车应用环境。
MMFTP84还具备较低的输入电容和反向传输电容,进一步优化了开关性能并减少了电磁干扰(EMI)。这些特点使得该器件在DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及逆变器等应用中表现出色。
MMFTP84广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动和控制
- 汽车电子系统中的负载开关
- 工业自动化设备中的电源管理
- LED驱动器和逆变器
由于其高效率和可靠性,该器件特别适合需要高功率密度和高温稳定性的应用场合。
IRF840
STP16NF06
FDP15N60
IXYS2N60C3