类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　漏极电流（ID）：100mA
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N7002K 具有多个重要特性，使其在电子设计中非常受欢迎。首先，其SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局。其次，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，可在3V至15V之间正常工作，使其兼容多种逻辑电平控制电路，如微控制器和数字电路。此外，2N7002K 的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　在开关特性方面，2N7002K 具有较快的上升和下降时间，适用于高频开关应用。其内部结构设计优化了温度稳定性，确保在不同工作条件下仍能保持稳定的性能。此外，该器件具有良好的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
　　由于其低漏电流特性，在关断状态下功耗极低，适合电池供电设备和低功耗系统。2N7002K 还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业控制、消费电子和通信设备等各类应用。

2N7002K MOSFET 主要用于小功率开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器驱动、H桥控制、电源管理和信号路由等应用。由于其低导通电阻和快速响应特性，该器件常用于微控制器I/O扩展、电源开关控制和低功耗便携式设备中。
　　具体应用包括：微处理器系统中的电源管理、传感器信号开关、小型电机驱动、音频开关电路、低电压电源转换电路、USB电源开关、LED背光控制以及各类低功耗电子设备中的开关控制。

2N7000、BS170、2N3904、FDS6680、MMSF1703