时间：2025/5/31 1:56:10
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CDR34BP103AKZRAT是一款高压功率MOSFET，基于先进的沟槽栅极技术制造。它主要适用于高效率、高频开关应用，例如电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等场景。
该器件具有低导通电阻和优化的开关性能，能够在高频条件下提供高效的能量转换，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
型号：CDR34BP103AKZRAT
类型：N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压)：100V
RDS(on)(导通电阻)：3.2mΩ (典型值，在VGS=10V时)
IDS(连续漏极电流)：95A
VGS(th)(阈值电压)：2.8V~4.2V
输入电容(Ciss)：4780pF
输出电容(Coss)：165pF
总栅极电荷(Qg)：72nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247-3
CDR34BP103AKZRAT采用了先进的沟槽式结构设计，从而显著降低了导通电阻，提高了效率。
其具备以下特点：
1. 极低的导通电阻(RDS(on))，在高频应用中可减少传导损耗。
2. 高雪崩能力，确保在异常情况下的耐用性。
3. 优秀的开关性能，降低开关损耗，适合高频应用。
4. 强大的散热能力，能够承受高电流密度。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
6. 耐高温设计，适合工业及汽车级应用环境。
这些特性使得该器件成为高性能功率转换的理想选择。
CDR34BP103AKZRAT广泛应用于各种高功率和高频场合，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 通信设备中的DC-DC转换模块。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率控制单元。
4. 工业电机驱动电路中的功率开关。
5. 电动汽车(EV)充电系统中的高频功率转换。
6. 高效功率因数校正(PFC)电路。
其优异的性能使其在需要高效率和高可靠性的领域表现卓越。
CDR34BP103AKZRA, IRF3710, STP95N10F7
