时间：2025/9/15 4:40:10
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2N7002BK是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于低电压和中等功率的开关应用。该器件具有良好的热稳定性和高效率，适合用于各种电子设备中的功率控制。2N7002BK封装形式为SOT-23，是一种小型化的表面贴装器件，适合高密度电路板设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：115mA
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻：5Ω（最大）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N7002BK具有低导通电阻和快速开关特性，使其在数字电路和功率管理应用中表现出色。该器件的高可靠性与稳定性，确保了在各种工作条件下都能保持优异性能。
此外，2N7002BK采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于在紧凑的电路板设计中使用。其低功耗特性和高效的能量转换能力，使其成为电池供电设备和便携式电子产品的理想选择。
这款MOSFET还具有良好的热保护性能，能够在高温环境下稳定工作，并减少因过热而导致的故障风险。其栅极驱动要求较低，可以与多种控制电路兼容，简化了设计复杂度。
2N7002BK常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制、LED驱动电路以及各种低功率电子设备中。其优异的性能也使其适用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统。
2N7002, BSS138, 2N7000
