类型：N沟道MOSFET
　　工作电压：最大20V（VDS）
　　最大连续漏极电流：3A（ID）
　　导通电阻：最大值为60mΩ（在VGS=4.5V条件下）
　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DFN1006-3（尺寸为1.0mm x 0.6mm）

RS3J-13-F IC具备一系列优良的电气与机械特性。其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。在4.5V栅极驱动电压下，导通电阻仅为60mΩ，使得该器件适用于高效率开关电路。此外，其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了在低电压控制系统中的可靠运行。该MOSFET采用DFN1006-3封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型PCB设计。其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，满足多种环境条件下的使用需求。ROHM在制造过程中采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提升了器件的稳定性和耐用性，适用于高可靠性的电子产品应用。
　　该器件还具有低漏电流特性，在关断状态下可以有效减少静态功耗，延长电池寿命。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，RS3J-13-F IC具备较强的抗静电能力和良好的热保护性能，有助于提升整体系统的稳定性与安全性。

RS3J-13-F IC广泛应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、传感器模块和低功耗物联网（IoT）设备中，以实现高效的电源控制与管理。由于其封装尺寸小，特别适用于对空间要求严格的高密度PCB设计。

RSD2J-13-F, RSD3J-13-F