时间：2025/8/9 13:37:21
阅读：15
FMH20N50ES 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器以及其他需要高效率和高性能功率开关的场合。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和高电流处理能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25°C）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FMH20N50ES 是一款专为高电压和高电流应用设计的功率MOSFET，具有出色的导通电阻和开关性能。该器件的导通电阻非常低，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，FMH20N50ES 还具备快速的开关速度，适合用于高频开关电路，从而减小外部电感和变压器的尺寸。该器件的封装设计有助于有效的散热，提高在高功率环境下的可靠性。
FMH20N50ES 的另一个显著特性是其良好的热稳定性。由于采用了先进的硅技术，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的性能，从而延长了设备的使用寿命。此外，该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发电压和电流冲击，防止器件损坏。
在应用方面，FMH20N50ES 可用于多种电源管理电路，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器和不间断电源（UPS）。由于其优异的性能指标，FMH20N50ES 也适用于工业自动化、消费电子、通信设备等领域的高功率需求场景。
FMH20N50ES 广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机控制电路以及照明驱动器。该器件特别适合需要高电压、高电流和高频开关性能的应用场合。
FQA20N50C、20N50、IRF20N50
