您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DD31N1200K

DD31N1200K 发布时间 时间:2025/8/6 19:27:09 查看 阅读:40

DD31N1200K 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,广泛应用于高功率电子设备中,如逆变器、电机驱动器和电源转换系统。该型号属于Toshiba的U-IGBT系列,具有低导通压降、高可靠性和良好的热稳定性,适合在需要高效能和稳定性的工业和汽车应用中使用。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):31A
  短路耐受能力:10μs(典型)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
  输入电容(Cies):约1800pF
  输出电容(Coes):约450pF
  反向传输电容(Cres):约180pF
  栅极电荷(Qg):约55nC

特性

DD31N1200K 具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其最大集电极-发射极电压为1200V,最大集电极电流可达31A,适用于高压、高电流的电力电子系统。其次,该IGBT具有较低的导通压降(VCE_sat),典型值为2.1V,这意味着在导通状态下能量损耗较小,从而提高了整体效率。
  此外,DD31N1200K 还具备良好的短路耐受能力,可在10μs内承受短路电流,提高了系统的可靠性。其输入电容、输出电容和反向传输电容分别为1800pF、450pF和180pF,这使得该器件在高频开关应用中表现出色,降低了开关损耗。栅极电荷(Qg)为55nC,说明在开关过程中所需的驱动功率较低,有助于提高系统的能效。
  该IGBT的工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件,包括工业自动化、电动车逆变器和可再生能源系统等。封装形式为TO-247,便于安装和散热管理。

应用

DD31N1200K 主要用于高功率、高效率的电力电子设备中,如工业逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动车电驱系统等。在工业自动化领域,该IGBT可用于控制电机的转速和方向,提供高效的能量转换能力。在电动车应用中,DD31N1200K 可用于主逆变器系统,将电池的直流电转换为交流电以驱动电动机,满足车辆的高性能需求。此外,该器件也适用于家电产品中的功率控制模块,如变频空调、电磁炉等,提升产品的能效与稳定性。

替代型号

GT30J321, IKW30N120H2

DD31N1200K推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价