时间：2025/6/11 9:50:29
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MM1W16是一款基于CMOS工艺的静态随机存取存储器（SRAM），具有高速读写、低功耗和高可靠性的特点。它适用于各种需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景，例如工业控制、通信设备、消费类电子产品等。该芯片采用标准的TTL兼容接口，方便与其它数字电路进行集成。
MM1W16内部包含16K×8位的存储单元阵列，支持字节宽度的数据操作，提供较快的存取速度以满足实时性要求较高的应用需求。
存储容量：16K x 8位
工作电压：4.5V 至 5.5V
存取时间：70ns
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装形式：28引脚PDIP、SOIC
数据保持时间：无限期（在推荐的工作条件下）
I/O结构：三态输出
静态电流：20mA（典型值）
动态电流：35mA（典型值）
MM1W16具有以下主要特性：
1. 高速性能：存取时间为70ns，能够满足大多数高速数据处理应用的需求。
2. 低功耗设计：静态电流仅为20mA（典型值），适合对功耗敏感的便携式设备。
3. TTL兼容接口：确保与现有系统轻松集成，无需额外的电平转换电路。
4. 数据保持能力：即使在断电后重新上电，只要未超过推荐的工作条件，数据不会丢失。
5. 强大的可靠性：经过严格测试，确保在工业级温度范围内稳定运行。
MM1W16广泛应用于以下领域：
1. 工业控制：用作PLC、DCS等系统的缓存或临时数据存储。
2. 通信设备：作为网络路由器、交换机中的数据缓冲区。
3. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪等需要快速数据交换的设备。
4. 医疗设备：用于生命体征监测仪、超声波成像设备等中暂时保存采集到的数据。
5. 测试测量仪器：为示波器、信号发生器等提供快速数据存储功能。
CY62167EV30, M3W16, AS6C161-55PCN
