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2N5551RLRPG 发布时间 时间:2025/6/18 9:24:10 查看 阅读:4

2N5551RLRPG是一种高频、低噪声的硅双极型晶体管(NPN),广泛应用于射频放大器、混频器和振荡器电路中。它具有较高的增益带宽积,非常适合于需要高性能的高频应用场合。
  该晶体管采用塑料封装形式,具体为TO-92封装,能够有效减少寄生电容和电感的影响,从而提升高频性能。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极电流:0.4A
  功率耗散:630mW
  增益带宽积:400MHz
  特征频率(fT):450MHz
  存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
  工作结温范围:-65℃ 至 +150℃

特性

2N5551RLRPG晶体管具有高增益带宽积和较低的噪声系数,使其特别适用于高频小信号放大场景。
  其出色的线性度和稳定性使得它在射频应用中表现优异,例如无线通信设备中的前置放大器或混频器电路。
  同时,由于其良好的热稳定性和较宽的工作温度范围,可以适应恶劣的工作环境。
  此外,TO-92封装的小巧尺寸也便于在紧凑设计中使用,减少了空间占用并提升了散热性能。

应用

2N5551RLRPG主要用于高频电子设备中,典型的应用包括:
  1. 射频(RF)放大器:
  用于提高无线信号强度,尤其是在接收端的前置放大器部分。
  2. 振荡器:
  可构建高频正弦波发生器,适合于3. 混频器:
  在超外差接收机中实现频率转换。
  4. 调制解调器:
  参与音频或其他低频信号与高频载波之间的调制和解调过程。
  5. 其他高频应用:
  如雷达系统、卫星通信设备等需要高增益和宽带宽特性的场合。

替代型号

2N5550
  BC548
  MPSH10

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2N5551RLRPG参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)