FDP14AN06LAO 时间：2025/12/29 14:18:19 阅读：13

FDP14AN06LAO是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件适用于高电流、高效率的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。FDP14AN06LAO采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，使其在高负载条件下仍能保持优异的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.7mΩ @Vgs=10V
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

FDP14AN06LAO具有多项显著的性能特点，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中实现最小的功率损耗，从而提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使电流在导通状态下分布更均匀，减少热点形成，提升稳定性和可靠性。
　　其次，FDP14AN06LAO具备高电流处理能力，在25°C环境下可支持高达140A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。同时，其最大功耗为250W，能够在高负载条件下保持良好的热性能，确保系统长时间稳定运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，便于自动化生产和散热管理。其耐高温特性使其适用于恶劣的工作环境，包括汽车电子、工业控制和能源管理系统。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统效率，适用于高频开关应用如同步整流、PWM控制等。

应用

FDP14AN06LAO广泛应用于需要高电流和低导通损耗的功率系统中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、负载开关、服务器电源以及电动车和工业设备的电源系统。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电池保护电路、电动助力转向系统（EPS）等高可靠性要求的场景。在工业自动化和电源设备中，它可作为高效率功率开关使用，提高系统能效和稳定性。