2N1990 时间：2025/8/25 3:19:28 阅读：3

2N1990是一种NPN型高频双极性晶体管（BJT），主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。该晶体管设计用于高频应用，具有良好的增益和频率响应特性，适用于通信设备、无线系统和高频信号处理电路。2N1990封装形式通常为TO-18金属封装，提供良好的散热性能和机械稳定性。

参数

晶体类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大功耗（PD）：125mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA, VCE=5V时，典型值为80至300
　　封装形式：TO-18金属封装

特性

2N1990是一款专为高频应用设计的晶体管，具有良好的频率响应和增益稳定性。其NPN结构使其在射频放大器中表现出色，适用于低噪声放大器和中频放大器电路。该晶体管在高频条件下仍能保持较高的增益，且具有较低的噪声系数，适合用于信号接收和处理系统。此外，2N1990具有良好的线性度和温度稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TO-18封装不仅提供良好的散热性能，还增强了机械强度，适用于高可靠性应用。

应用

2N1990广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，尤其是在通信设备、无线接收器和信号处理系统中。该晶体管可作为低噪声前置放大器使用，提高信号的接收灵敏度。此外，2N1990也适用于振荡器、混频器和调制解调器等高频电路，能够满足多种高频信号处理需求。由于其良好的温度稳定性和可靠性，2N1990也可用于工业控制、测试仪器和消费类电子产品中的高频电路设计。