容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：8M x 8 或 4M x 16
　　工艺技术：45nm MirrorBit? 工艺
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　读取访问时间：70ns / 90ns（根据型号后缀）
　　封装类型：48-pin TSOP
　　温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　接口类型：并行（x8/x16 模式）
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　待机电流：典型值 100μA
　　快速读取电流：典型值 25mA
　　写入/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：超过 20 年

AM29DL640G30EI 具备多项先进特性，使其在嵌入式 NOR Flash 市场中具有较强的竞争力。首先，其采用的 MirrorBit? 技术利用双比特存储单元结构，在相同的硅片面积上实现更高的存储密度，从而在不增加成本的前提下提升容量。这种创新结构不仅提高了集成度，还优化了制造效率，降低了单位比特的存储成本。
　　其次，该器件支持多种低功耗模式，包括自动休眠（Auto Sleep?）和待机模式（Standby Mode），可在系统空闲时显著降低功耗，延长电池供电设备的运行时间。自动休眠功能在无总线活动时自动激活，无需软件干预，极大简化了电源管理设计。
　　在可靠性方面，AM29DL640G30EI 内置了先进的写保护机制，包括 VPP 功能、软件数据保护（Software Data Protection, SDP）和硬件写保护（通过 RESET# 和 WP# 引脚）。这些机制可有效防止因电源波动、电磁干扰或程序错误导致的误写操作，保障系统启动代码的安全性。
　　此外，该芯片支持标准命令集（基于 JEDEC CFI 标准），便于与现有开发工具和编程器兼容，缩短产品开发周期。其扇区擦除功能允许对单个扇区（大小为 64KB 或更小）进行独立擦除，支持现场固件更新（In-Field Firmware Update）和动态数据记录。同时，器件具备高抗干扰能力和出色的温度稳定性，满足严苛工业环境下的长期运行需求。内置的内部电荷泵可自动生成编程所需的高压，避免使用外部高压电源，简化了系统设计。

AM29DL640G30EI 被广泛应用于多个需要高可靠性代码存储的领域。在通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，它用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，确保设备在断电后仍能可靠启动。在工业自动化系统中，该芯片常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程 I/O 模块，提供稳定的程序存储支持，适应宽温、高湿和强电磁干扰的工作环境。
　　在汽车电子领域，AM29DL640G30EI 可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统和车载信息娱乐系统（IVI），满足 AEC-Q100 认证要求的部分衍生型号可支持车载应用。其快速随机读取能力使得微控制器可以直接从 Flash 中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部 RAM 的依赖，降低系统成本。
　　此外，该器件也常见于医疗设备、测试测量仪器和消费类电子产品中，用于存储固件、校准数据和用户设置。由于其具备较长的数据保持时间和高擦写耐久性，适合需要频繁更新且长期运行的应用场景。其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适用于对读取速度有较高要求的系统。

S29GL064N90TFIR2
　　S29GL064N90TFI02
　　CY29GL064EHI-30B
　　IS26LV064B-30TLI