类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK? 8x8
　　功率耗散（PD）：350W

25YXG4700M18X35.5 MOSFET 具有多个显著特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，提高了单位面积的电流承载能力，从而实现了更高的功率密度。此外，PowerPAK? 8x8 封装提供了优异的热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该MOSFET的高栅极电压容限（±20V）使其适用于多种栅极驱动电路，减少了因过电压而损坏的风险。同时，宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境条件下的工业和汽车应用。其封装设计优化了PCB布局，减少了寄生电感，提高了开关性能，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件具有卓越的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。其符合RoHS标准，无铅封装设计也满足了现代电子制造的环保要求。

25YXG4700M18X35.5 MOSFET广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车（EV）充电系统以及工业自动化设备中的功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于高效率、高功率密度的设计需求。此外，由于其出色的热性能和稳定性，它也被广泛用于高温环境下的电源管理模块。

SiZ600DT, IRF1405, SQJQ160E, IPW60R017C7, FDS4410A