时间：2025/9/7 21:06:39
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25WA4700M18X25 是一款由 Vishay / Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。这款 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）封装，适合表面贴装，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：25A
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.047Ω @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：0.062Ω @ VGS=4.5V
功耗（PD）：180W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
25WA4700M18X25 是一款高性能的功率 MOSFET，具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件支持高达 25A 的连续漏极电流，适用于高负载电流的应用环境。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容 4.5V 至 10V 范围，便于与多种驱动电路匹配。
该器件采用了先进的沟槽式技术，提升了开关速度，减少了开关损耗。同时，它具备良好的热稳定性，能够在较高的温度下可靠工作，适应各种严苛的工作环境。TO-263 封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
25WA4700M18X25 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在电路中出现瞬态过电压时保持稳定，从而增强系统的可靠性和安全性。此外，其封装设计支持表面贴装工艺，简化了 PCB 设计并提高了生产效率。
该 MOSFET 广泛应用于各种电源管理系统和功率转换设备中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及电源管理模块。由于其优异的导通性能和高电流能力，25WA4700M18X25 特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式设备、服务器电源、工业控制系统以及汽车电子系统等应用场景。
Si4410DY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDP470N15A, IPB025N04LC G
