额定集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　额定集电极电流（IC）：175A
　　短路耐受能力：10μs @ 175°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（Dual）
　　短路电流（ICSC）：约350A
　　栅极驱动电压（VGE）：±15V（推荐）
　　最大功耗（Ptot）：约300W
　　热阻（Rth）：0.38°C/W（典型值）

GT17HNFS-4DS-5CF 采用先进的IGBT芯片技术，具有低导通压降和快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。模块内部集成了多个IGBT和反向并联的二极管芯片，确保在高功率密度和高频率工作条件下的稳定性和可靠性。其封装设计优化了散热性能，提高了热循环寿命，适用于高可靠性要求的应用场景。此外，该模块具有较强的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，增强了系统的安全性和稳定性。
　　模块的封装材料采用高绝缘性能和耐高温的材料，确保在高温和高电压条件下的安全运行。同时，其结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统中的高频噪声和干扰。GT17HNFS-4DS-5CF 还具有良好的抗振动和抗冲击能力，适用于工业环境中的各种应用场景。

GT17HNFS-4DS-5CF 主要应用于高功率电力电子设备中，例如变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备、风力发电变流器以及轨道交通牵引系统等。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于需要高功率密度和高可靠性的工业控制系统。在电机驱动应用中，该模块可以提供高效的开关性能，帮助提升设备的整体能效。此外，它也可用于太阳能逆变器等新能源设备中，为电力转换提供稳定可靠的解决方案。

GT17HNFS-4DS-5CF的替代型号包括富士电机同系列产品如GT17HNFS-4DS-5CF-R，以及具备类似参数的IGBT模块如三菱电机的CM100DY-24A、英飞凌的FF150R12RT4等。