R1160N271B-TR-FE是一款由理光(Ricoh)公司生产的高精度、低功耗、低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要稳定电压输出的便携式电子设备中。该器件属于R1160N系列,该系列以其超低静态电流、快速瞬态响应和优异的负载与线路调整率而著称。R1160N271B-TR-FE采用CMOS工艺制造,具有出色的热稳定性与抗噪声能力,适用于对电源管理要求较高的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端、传感器模块以及各类电池供电系统。
R1160N271B-TR-FE的固定输出电压为2.7V,出厂时已精确设定,无需外部反馈电阻,简化了电路设计并节省PCB空间。其封装形式为小型化DFN(PLP)1515-6封装,尺寸紧凑(1.5mm x 1.5mm x 0.55mm),非常适合高密度布局需求。此外,该芯片内置过温保护和过流保护功能,增强了系统的可靠性与安全性。
工作输入电压范围:1.8V ~ 5.5V
输出电压精度:±2%
输出电流能力:300mA(最大)
静态电流:典型值0.6μA(关断模式下更低)
待机电流:0.1μA(典型值)
压差电压:300mV @ 300mA(典型值)
输出电压温度系数:±100ppm/℃
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
封装类型:DFN(PLP)1515-6
引脚数:6
安装方式:表面贴装
关断功能:支持
基准电压源:内部高精度基准
输出电容要求:陶瓷电容,≥1.0μF
R1160N271B-TR-FE具备多项先进特性,使其在同类LDO产品中表现出色。首先,它拥有极低的静态电流,典型值仅为0.6μA,在电池供电设备中极大延长了待机时间,特别适合长期运行的低功耗系统。其次,该芯片支持使能(Enable)功能,用户可通过控制EN引脚实现电源的开启与关闭,进入关断模式后电流消耗可降至0.1μA以下,进一步优化能效。
该器件采用内部补偿设计,仅需一个小型陶瓷输出电容(最小1.0μF)即可保持环路稳定性,降低了对外部元件的依赖,减少了整体BOM成本和占板面积。同时,其快速瞬态响应能力确保在负载电流突变时仍能维持稳定的输出电压,避免系统因电压波动而出现复位或误操作。
R1160N271B-TR-FE还集成了多重保护机制,包括过电流保护和过热保护。当输出短路或过载时,内部限流电路会自动限制输出电流,防止器件损坏;当芯片温度超过安全阈值时,热关断功能将自动切断输出,待温度下降后恢复正常工作,提升了系统的鲁棒性。
此外,该LDO具有良好的线路调节率(典型值0.05%/V)和负载调节率(典型值±0.1%),即使输入电压或负载发生变化,也能提供高度稳定的输出电压。其输出电压精度高达±2%,满足精密模拟电路和数字逻辑电路的供电需求。整个器件采用无铅环保材料制造,符合RoHS指令要求,适用于消费类、工业级及部分汽车电子应用环境。
R1160N271B-TR-FE因其小尺寸、低功耗和高稳定性,广泛应用于多种便携式和嵌入式电子设备中。常见用途包括为微控制器单元(MCU)、DSP、FPGA等数字处理器件提供核心供电,尤其在深度睡眠或待机模式下对静态电流敏感的应用场景中表现优异。
在物联网(IoT)设备中,如无线传感器节点、智能家居终端、远程监控模块等,该LDO能够有效延长电池使用寿命,提升系统续航能力。由于其支持关断功能,可配合主控芯片实现动态电源管理策略,按需上电,降低整体能耗。
在可穿戴设备领域,例如智能手表、健康监测手环、TWS耳机等,R1160N271B-TR-FE的小型封装和高效性能使其成为理想的电源解决方案,有助于实现设备轻薄化设计。
此外,该芯片也适用于各类低功耗通信模块,如蓝牙BLE、Zigbee、LoRa等射频芯片的供电管理,保障信号传输的稳定性。在工业传感、医疗电子、便携式测量仪器等领域,其高精度输出和宽工作温度范围确保了系统在复杂环境下的可靠运行。
XC6223B271MR-G
AP2127K-2.7Y
TPS78301DBVR
MIC5205-2.7YM5-TR