时间：2025/8/6 6:19:24
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IXFP80N25X3是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由IXYS公司生产。该器件适用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流容量，能够提供优异的能效和可靠性。该MOSFET采用TO-247封装形式，适合用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等应用领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：80A
漏极-源极击穿电压（VDS）：250V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.032Ω
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFP80N25X3具有多种优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流容量和耐压能力，能够在恶劣的工作条件下稳定运行。此外，IXFP80N25X3采用了先进的制造工艺，确保了良好的热性能和可靠性，适合长时间高负载运行。该MOSFET还具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体性能。其TO-247封装设计便于安装和散热，适用于各种高功率电子设备。
IXFP80N25X3广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动和控制、DC-DC转换器、逆变器以及太阳能逆变系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效、可靠的功率开关功能，确保系统稳定运行并提高能效。
IXFH80N25X3, IXFP80N25XM, IXFN80N25X2
