ZMM47V是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
其封装形式通常为TO-220或TO-252,适合各种对空间有一定限制的应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:18A
导通电阻:47mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:115W(取决于封装)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220, TO-252
ZMM47V具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用环境。
3. 强大的浪涌电流承受能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
4. 优秀的热稳定性,即使在高温环境下也能保持良好的性能。
5. 静电防护能力较强,能够有效防止因静电放电导致的损坏。
6. 封装形式多样,便于根据实际需求选择最合适的方案。
ZMM47V广泛应用于以下领域:
1. 开关电源及适配器设计。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 各类负载开关场合,例如电池管理系统。
5. LED驱动器中用作功率开关元件。
6. 逆变器和其他需要高效功率转换的设备。
ZXM47V, IRFZ44N, FDP5502