存储容量：256MB
　　数据总线宽度：16位
　　电源电压：1.7V - 3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　时钟频率：最高可达166MHz
　　存储架构：DRAM
　　数据传输率：333MHz（双倍数据速率）

HY5S5B2BLF-SE 具备多种显著特性，使其在众多DRAM芯片中脱颖而出。首先，它采用低功耗设计，特别适用于电池供电的便携式设备，有助于延长设备的使用时间。其电源电压范围较宽（1.7V - 3.3V），允许在不同的系统环境中灵活使用。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和恶劣环境的应用。其54-ball FBGA封装形式不仅节省空间，还提高了封装的可靠性，适用于高密度PCB布局设计。该芯片支持双倍数据速率（DDR）传输，最高可达333MHz，从而提升了数据传输性能，满足高性能系统的需求。HY5S5B2BLF-SE还支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问的情况下依然保持完整，同时降低了功耗。其16位数据总线宽度提供了较高的数据吞吐能力，适用于图像处理、多媒体应用和嵌入式系统的内存扩展。

HY5S5B2BLF-SE 通常应用于需要高性能、低功耗和紧凑封装的电子设备。它广泛用于智能手机、平板电脑、数码相机、便携式游戏机等消费类电子产品中，作为主存储器或缓存使用。在工业领域，该芯片可用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、人机界面（HMI）和数据采集系统。由于其宽温度范围和高可靠性，也适用于车载电子系统，如车载导航系统、车载娱乐系统和车载监控设备。此外，在通信设备中，如无线路由器、调制解调器和网络交换设备中，HY5S5B2BLF-SE可用于提升系统内存容量，增强数据处理能力。其低功耗特性也使其成为物联网（IoT）设备和边缘计算设备的理想选择。

MT48LC16M16A2B4-6A, K4S561633E-BC