时间：2025/7/9 23:15:59
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SLM160N04G是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其封装形式通常为TO-252（DPAK），有助于提高散热性能和系统可靠性。
这种MOSFET的主要特点是能够承受较高的漏源电压，并在大电流条件下保持较低的功耗，非常适合对能效要求较高的应用环境。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极阈值电压：1.5V~3.5V
总功耗：75W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
SLM160N04G具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频开关应用场景。
3. 较高的雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能正常工作。
4. 紧凑型封装设计，节省PCB空间，同时提供良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境中稳定运行。
这些特性使得SLM160N04G成为高性能电源转换和负载切换的理想选择。
SLM160N04G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC转换器的核心功率开关组件。
4. 电池管理系统中的负载控制开关。
5. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的关键元件。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传递模块。
其卓越的电气特性和可靠性使它成为许多高功率密度应用的首选解决方案。
SLM160N04LP, IRFZ44N, FDP18N04
