时间：2025/8/25 7:22:56
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HGTP15N40C1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压、高频率的功率转换应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，使其适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源设备。HGTP15N40C1采用TO-247封装，便于散热，适合高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：400V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大）
栅极电压（Vgs）：±30V
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
HGTP15N40C1具备多项优异的电气性能和可靠性特征。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下较低的导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该MOSFET的高击穿电压（400V）使其适用于多种高电压应用场景，如开关电源和功率因数校正电路。
此外，HGTP15N40C1的快速开关能力有助于减少开关损耗，适用于高频操作环境。其封装形式为TO-247，具有良好的热性能，便于安装散热器，有效降低工作温度，延长器件寿命。
该器件还具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。同时，HGTP15N40C1具有较强的抗过载能力，可在短时间承受较高的电流和电压应力。
HGTP15N40C1广泛应用于多种功率电子设备中，如AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动电路、UPS不间断电源、工业自动化控制系统、照明镇流器以及太阳能逆变器等。由于其具备高电压、高电流能力和良好的热管理性能，该MOSFET也适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
在开关电源中，HGTP15N40C1可作为主功率开关，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可作为H桥的上桥或下桥开关，提供快速响应和稳定输出；在新能源领域，该器件可用于光伏逆变器的DC-AC转换部分，提升系统整体效率。
STP15N40ZFP、FQA15N40、IRF740、FGA15N40
