MTN4456-AO 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和优异的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。MTN4456-AO 封装为 TSOP(也称为 TSSOP 或 SOT404),属于小型化封装类型,适合在空间受限的电路中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):11A(在25°C环境温度下)
最大导通电阻(Rds(on)):19mΩ(典型值)
最大功耗(Pd):2.6W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSOP(SOT404)
工艺技术:Trench MOSFET
MTN4456-AO 采用先进的 Trench 工艺制造,使得其导通电阻显著降低,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。该器件的 Rds(on) 典型值仅为 19mΩ,在高电流工作条件下仍能保持较低的温升,确保长期运行的稳定性。
由于其低栅极电荷(Qg)和快速开关特性,MTN4456-AO 适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。同时,该 MOSFET 具备良好的热阻特性,封装热阻(Rth(j-a))较低,有助于提高散热效率。
该器件具有较高的耐用性和可靠性,符合工业级工作温度范围要求(-55°C ~ 150°C),适用于各种严苛的工作环境。此外,MTN4456-AO 的封装尺寸较小,适合在高密度 PCB 设计中使用,有助于缩小整体系统体积。
MTN4456-AO 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
? DC-DC 转换器和电源模块
? 同步整流器设计
? 电池管理系统(BMS)
? 负载开关和电源管理单元
? 工业控制和电机驱动电路
? 便携式电子产品电源管理
Si2302DS、AO4406、NTMFS4C06N、FDMS3618