时间：2025/7/22 19:39:03
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FMH19N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及优异的开关性能，适用于诸如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器等高功率应用场景。FMH19N60ES采用TO-220或TO-263等封装形式，具备良好的热管理和散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：19A
导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
FMH19N60ES具有多项优异的电气和物理特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源电压（VDS）使其适用于多种高压电源系统。其次，导通电阻RDS(on)仅为0.23Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的连续漏极电流（19A），能够支持较大的负载能力。
在开关性能方面，FMH19N60ES具有快速开关响应能力，开关损耗低，有利于提高整体系统的能效。其封装形式（如TO-220或TO-263）具备良好的散热性能，能够在高功率运行条件下保持较低的结温，从而提高可靠性和寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在异常工况下提供更高的稳定性和安全性。其栅极驱动电压范围宽（通常为10V~15V），兼容多种常见的MOSFET驱动器电路，便于设计和集成。
FMH19N60ES广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合需要高压和高电流能力的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电源以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于家用电器中的功率控制模块，如微波炉、电饭煲和变频空调等设备中的电源管理单元。
由于其高可靠性和良好的热性能，FMH19N60ES也常用于车载电子系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等对稳定性和安全性要求较高的工业和能源系统。
FQA19N60C、IRFGB40N60HD、STF19N60DM2、FGA25N60SMD
