时间：2025/9/14 11:31:52
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PSMN1R2-25YLDX 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench工艺制造，具有优异的导通电阻和开关性能。该器件属于逻辑电平MOSFET，适用于需要低电压驱动的应用场合。PSMN1R2-25YLDX 采用无铅环保封装，符合RoHS标准，并具有良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：150A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（最大值）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN1R2-25YLDX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为1.2毫欧，这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用逻辑电平驱动设计，能够在较低的栅极电压下完全导通，适用于由微控制器或其他低压控制电路驱动的应用。其高电流容量（150A）和25V的漏源电压使其适合用于高功率密度的设计。
该器件采用先进的Trench结构，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和耐用性。同时，其封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低结温，延长使用寿命。此外，PSMN1R2-25YLDX 在制造过程中采用了环保材料，符合RoHS指令，适用于各种对环保要求较高的电子产品。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下仍能稳定运行。
PSMN1R2-25YLDX 常用于高效率电源管理系统，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、工业自动化设备、电源分配系统以及车载电子系统等。由于其具备高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要大电流输出和高效能转换的电源模块。此外，该器件也可应用于服务器、通信设备和工业控制设备中的电源管理电路中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
PSMN0R9-25YLDX
PSMN1R8-25YLDX
