容量：8 Mbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：80MHz
　　编程/擦除电压：3V
　　封装类型：8-SOIC
　　温度范围：-40°C ~ +85°C

25Q80BVNIG 芯片具备多项先进的性能特点。首先，其采用 SPI 接口，显著减少了引脚数量，降低了 PCB 布局的复杂度，并节省了空间。SPI 接口支持高速数据传输，最高可达 80MHz，使得该芯片能够满足高性能嵌入式系统的需求。
　　其次，25Q80BVNIG 支持宽电压范围（2.7V 至 3.6V），增强了其在不同应用环境下的适应能力，尤其适用于电池供电设备。该芯片还支持多种低功耗模式，包括待机模式和掉电模式，有效延长设备的续航时间。
　　此外，25Q80BVNIG 提供了多种存储保护功能，例如软件和硬件写保护机制，可防止关键数据被意外修改或擦除。该芯片支持全芯片擦除和按扇区擦除功能，每个扇区大小为 4KB 或 32KB，提高了数据管理的灵活性。
　　在可靠性方面，25Q80BVNIG 具备高达 100,000 次的编程/擦除周期，并支持数据保存长达 20 年，确保了长期稳定的数据存储。该芯片采用 8-SOIC 封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

25Q80BVNIG 广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要非易失性存储器的嵌入式系统中表现突出。典型应用包括微控制器的程序存储器、固件更新存储、配置数据存储、传感器数据记录、工业自动化设备、通信模块、医疗设备、消费类电子产品（如智能手表、智能手环）以及物联网（IoT）设备。
　　在物联网设备中，25Q80BVNIG 可用于存储设备的启动代码、操作系统镜像、应用程序以及用户配置数据，其低功耗特性非常适合电池供电的应用场景。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储设备校准参数、运行日志等关键数据，其高可靠性和耐用性确保了在恶劣环境下的稳定运行。
　　此外，25Q80BVNIG 也广泛用于开发板和原型设计中，为工程师提供一个稳定可靠的存储解决方案。

W25Q80JVSSIG, MX25L8006E, EN25Q80B