时间：2025/8/9 8:47:43
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K2250-01L是一款由韩国厂商KEC（高周波电子）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面条状DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。K2250-01L常用于DC-DC转换器、电池充电器、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
K2250-01L具备多项优异特性，包括极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高频开关应用中的稳定性。器件采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，K2250-01L具有快速开关能力，适合用于高频率PWM控制。其TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅提高了热传导效率，还便于PCB布局和自动化生产。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于严苛的工作环境。
K2250-01L主要应用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关和电池管理模块。它也广泛用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器、UPS不间断电源以及LED照明驱动电路。
由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，K2250-01L也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电机控制器和电源分配模块。
IRF1404, STP100N6F6, FDP100N6F6, SiR100N6F6, TK10A60D
