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IS43R16160D-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 20:03:23 查看 阅读:6

IS43R16160D-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有低功耗、高性能和高可靠性的特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信设备和消费电子产品中。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有双向数据总线和独立的地址与数据控制线,适合需要快速数据访问的应用场景。

参数

容量:256K x16
   电压:3.3V
   访问时间:5.4ns
   封装:TSOP
   工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

IS43R16160D-6BLI-TR 的核心优势在于其高速访问时间和低功耗设计,使其在多种应用场景中表现出色。其异步SRAM架构允许在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写,提升了系统的灵活性。该芯片支持低待机电流,有助于在空闲状态下减少能耗,非常适合对功耗敏感的设计。此外,该器件的工作温度范围宽广(-40°C 至 +85°C),能够适应各种严苛的环境条件。TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了器件的热稳定性和机械可靠性,非常适合用于高密度PCB布局设计。
  该芯片的地址线和数据线独立控制,允许系统设计者灵活配置总线操作,从而优化整体系统性能。同时,其双片选(CE1 和 CE2)和输出使能(OE)控制功能,使多设备系统中的存储器管理更加高效。IS43R16160D-6BLI-TR 在设计上支持与多种微处理器和控制器的无缝接口,降低了硬件兼容性问题的风险。

应用

该芯片适用于各种嵌入式系统和高性能计算设备,如工业自动化控制器、路由器、交换机、医疗设备、汽车电子系统以及高端消费电子产品。由于其高速存取能力和宽工作温度范围,IS43R16160D-6BLI-TR 在工业和通信领域尤为受欢迎。该器件也可用于图像处理模块、数据缓存、高速数据采集系统等对响应速度要求较高的应用场景。
  在工业自动化系统中,该SRAM芯片常用于存储实时运行数据和程序代码,以确保控制系统的稳定性和响应速度。在通信设备中,它用于高速数据缓存,确保数据传输的高效性和稳定性。在汽车电子领域,该芯片可用于仪表盘显示控制、高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键模块。

替代型号

IS42S16160D-6TL-TR, CY62167EV30LL-55BZXI, IDT71V124SA10PFG, IS43R16400B-6TLI-TR

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IS43R16160D-6BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-60
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500